High Current Multi-finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with the Maximum Oscillation Frequency 253GHz 

　　Chinese Physics Letters 2008 25 (8): 3075-3078　

　　Authors：JIN Zhi, SU Yong-Bo, CHENG Wei, LIU Xin-Yu, XU An-Huai, QI Ming 

　　Abstract　

　　A four-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor is designed and fabricated successfully by using　

　　planarization technology. The emitter area of each finger is 1×15μm2. The breakdown voltage is more than 7V, the maximum　

　　collector current could be more than 100mA. The current gain cutoff frequency is as high as 155GHz and the maximum oscillation　

　　frequency reaches 253GHz. The heterostructure bipolar transistor can offer more than 70mW class-A maximum output power at W　

　　band and the maximum power density can be as high as 1.2W/mm.