High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft=170GHz and fmax=253GHz 

　　Chinese Physics Letters 2008 25 (7): 2686-2689　

　　Authors:JIN Zhi,SU Yong-Bo,CHENG Wei,LIU Xin-Yu,XU An-Hai,QI Ming 

　　Abstract 

　　The layer structure of InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor (DHBT) is designed to enhance the frequency　

　　performance and breakdown voltage. The composition-graded base structure is used to decrease the base transit time. The InGaAs　

　　setback layer and two highly doped InGaAsP layers are used to eliminate the conduction band spike of the collector. The　

　　submicron-emitter InGaAs/InP DHBT is fabricated successfully. The base contact resistance is greatly decreased by optimization　

　　of contact metals. The breakdown voltage is more than 6V. The current gain cutoff frequency is as high as 170GHz and the　

　　maximum oscillation frequency reached 253GHz. The DHBT with such high performances can be used to make W-band power amplifier.