High-Speed InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistor with High Breakdown Voltage 

　　2008 Chinese Phys. Lett. 25 2683-2685　

　　Authors：Jin Zhi, Su Yong-Bo, Cheng Wei, Liu Xin-Yu，Xu An-Huai and Qi Ming　　

　　Abstract. 

　　We design and fabricate an InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor (DHBT). The spike of the conduction band　

　　discontinuity between InGaAs base and InP collector is successfully eliminated by insertion of an InGaAs layer and two InGaAsP　

　　layers. The current gain cutoff frequency and maximum oscillation frequency are as high as 155 and 144 GHz. The breakdown　

　　voltage in common-emitter configuration is more than 7 V. The high cutoff frequency and high breakdown voltage make high-speed　

　　and high-power circuits possible.