200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography 

　　Chinese Science Bulletin 2008, 53(22) 3585-3589　

　　Authors：XU JingBo, ZHANG HaiYing, WANG WenXin, LIU Liang, LI Ming, FU XiaoJun, NIU JieBin ，YE TianChun 

　　Abstract 

　　GaAs-based metamorphic HEMTs (MHEMT) consist of GaAs substrates and InP-based epitaxial structure, and have the advantages of　

　　both InP HEMT’s excellent performances and GaAs-based HEMT’s mature processes. GaAs-based MHEMTs were applied to millimeter- 

　　wave low-noise, high-power applications and systems. The current gain cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation　

　　frequency (fmax) are important performance parameter of GaAs-based MHEMTs, and they are limited by the gate-length mainly.　

　　Electron beam lithography is one of the lithography technologies which can be used to realize the deep submicron gate-length.　

　　The 200 nm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by electron beam lithography. In order to reduce the parasite　

　　gate capacitance and gate resistance, a trilayer resist structure was used to pattern the T-gate resist profile. Excellent DC,　

　　high frequency and power performances have been obtained. FT and fmax are 105 GHz, 70 GHz respectively. The research is very　

　　helpful to obtain higher performance GaAs-based MHEMTs.